La Cina Chip IC di memoria

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  Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI del circuito integrato una memoria IC di 133 megahertz

  Numero della parte:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  Cancelli la prestazione:80KB/sec

  Subsettore:4KB

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  MT29F2G01ABBGD12-AAT: Supporto di superficie di IC 24-T-PBGA di memoria di G 2Gbit SPI 83MHz

  Numero della parte:MT29F2G01ABBGD12-AAT: G

  Dimensione della memoria:2Gbit

  Interfaccia della memoria:SPI

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  supporto parallelo MT29F1T08EELEEJ4-R della superficie 1Tbit 132-VBGA: E NAND Memory IC

  Numero della parte:MT29F1T08EELEEJ4-R: E

  Tecnologia:FLASH - NAND (TLC)

  Voltaggio - Fornitura:2.6V ~ 3.6V

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  Chip MT29F512G08EBLEEJ4-T del circuito integrato: Memoria IC di E 512Gbit 132-VBGA

  Numero della parte:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E

  Organizzazione della memoria:64G x 8

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

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  ISTANTANEO - NAND Memory IC MT29F1T08EELEEJ4-T: Pacchetto parallelo 132-VBGA di E 1Tbit

  Numero della parte:MT29F1T08EELEEJ4-T: E

  Tecnologia:FLASH - NAND (TLC)

  Organizzazione:128 G x 8

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  ISTANTANEO - NAND Memory IC MT29F1G01ABBFD12-AAT: Circuiti integrati elettronici di F

  Numero della parte:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F

  Organizzazione della memoria:1G x 1

  Interfaccia della memoria:SPI

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  8Tbit FLASH - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-R: Chip del circuito integrato di E

  Numero della parte:MT29F8T08EWLEEM5-R: E

  Tensione di rifornimento - min:1,7 V

  Tensione di rifornimento - massima:1,95 V

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  supporto di superficie MT25QL128ABA1EW7-0 SIT Memory IC di 128Mbit SPI 133 megahertz 8-WPDFN

  Numero della parte:MT25QL128ABA1EW7-0SIT

  Umidità sensibile:- Sì.

  Formato di memoria:Flash

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  Chip MT35XU02GCBA1G12-0 AAT Flash Memory SLC 256MX8 TFBGA QDP del circuito integrato

  Numero della parte:MT3T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T

  Categoria di prodotto:NÉ istantaneo

  Dimensione della memoria:2 Gbit

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  8Tbit FLASH parallelo - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-T: E Chip Integrated Circuit

  Numero della parte:MT29F8T08EWLEEM5-T: E

  Organizzazione:1T x 8

  Interfaccia:Parallelamente

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  Supporto di superficie del chip MT25QU02GCBB8E12-0 SIT Memory IC 24-TBGA del circuito integrato

  Numero della parte:MT25QU02GCBB8E12-0SIT

  Tensione di alimentazione - Min:1.7 V

  Tensione di rifornimento - massima:2 V

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  Memoria IC del chip MT25QL512ABB8ESF-0AAT 512Mbit SPI 133MHz del circuito integrato

  Numero della parte:MT25QL512ABB8ESF-0AAT

  Organizzazione della memoria:64M x 8

  Voltaggio - Fornitura:2.7V ~ 3.6V

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