Numero della parte:MT29F1T08EELEEJ4-T: E
Tecnologia:FLASH - NAND (TLC)
Organizzazione:128 G x 8
Numero della parte:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F
Organizzazione della memoria:1G x 1
Interfaccia della memoria:SPI
Numero della parte:MT29F8T08EWLEEM5-R: E
Tensione di rifornimento - min:1,7 V
Tensione di rifornimento - massima:1,95 V
Numero della parte:MT25QL128ABA1EW7-0SIT
Umidità sensibile:- Sì.
Formato di memoria:Flash
Numero della parte:MT3T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T
Categoria di prodotto:NÉ istantaneo
Dimensione della memoria:2 Gbit
Numero della parte:MT29F8T08EWLEEM5-T: E
Organizzazione:1T x 8
Interfaccia:Parallelamente
Numero della parte:MT25QU02GCBB8E12-0SIT
Tensione di alimentazione - Min:1.7 V
Tensione di rifornimento - massima:2 V
Numero della parte:MT25QL512ABB8ESF-0AAT
Organizzazione della memoria:64M x 8
Voltaggio - Fornitura:2.7V ~ 3.6V
Numero della parte:MT35XU512ABA1G12-0SIT
La RDT:200 MHz
Densità:512MB
Numero della parte:MT2comunicazione elettronica
Organizzazione:1 G x 1/512 di m. x 2/256 di m. x 4
Umidità sensibile:- Sì.
Numero della parte:PESO MT62F768M64D4EK-023: C
Pacco:441-ball TFBGA
Dimensione:14.0mm x 14.0mm
Numero della parte:MT28EW512ABA1LJS-0SIT
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:60ns
Tempo di accesso:95 NS