La Cina Chip IC di memoria

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  Chip di memoria MT60B2G8HB-48B: Un chip del circuito integrato di IC 82VFBGA di memoria di 16Gbit DDR5

  Numero della parte:MT60B2G8HB-48B:

  Organizzazione della memoria:2G x 8

  Formato di memoria:DRAM

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  Memoria IC del chip S25FL256LAGNFB010 256Mbit SPI 133 megahertz 8-WSON del circuito integrato

  Numero della parte:S25FL256LAGNFB010

  Dimensione della memoria:256 Mbit

  Frequenza dell'orologio:133 megahertz

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  Supporto di superficie di IC 133 megahertz 8-WSON di memoria del chip S25FL256SAGNFI000 256Mbit di IC

  Numero della parte:S25FL256SAGNFI000

  Tipo di memoria:NÉ

  Peso specifico:11 mg

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  Memoria non volatile IC 1Mbit SPI di CY14V101QS-BK108XI SRAM 108 megahertz 24-FBGA

  Numero della parte:CY14V101QS-BK108XI

  Formato di memoria:NVSRAM

  Dimensione della memoria:1Mbit

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  Memoria elettronica IC dei circuiti integrati S25FL512SDPMFVG10 66 megahertz 16-SOIC

  Numero della parte:S25FL512SDPMFVG10

  Tipo di interfaccia:SPI

  Umidità sensibile:- Sì.

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  Chip S25FL512SAGMFMR10 512Mbit SPI - memoria IC di IC dell'ingresso/uscita 133 megahertz 16-SOIC del quadrato

  Numero della parte:S25FL512SAGMFMR10

  Organizzazione della memoria:64M x 8

  Frequenza dell'orologio:133 megahertz

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  FLASH del chip MTFC8GAMALGT-AAT 64Gbit del circuito integrato - NAND Memory IC

  Numero del pezzo:MTFC8GAMALGT-AAT

  Capacità di memoria:64 GB

  Tipo di memoria:Non volatile

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  Chip S25FL064LABMFV010 64Mbit SPI - memoria IC del circuito integrato dell'ingresso/uscita del quadrato

  Numero della parte:S25FL064LABMFV010

  Frequenza dell'interfaccia:108MHz/54MHz

  Larghezza del canale omnibus di dati:bit 8

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  Circuiti integrati elettronici S25FL128LAGNFI010 128Mbit SPI - memoria IC dell'ingresso/uscita del quadrato

  Numero della parte:S25FL128LAGNFI010

  Rivestimento della palla del cavo:Matte Tin Plating

  Impiegati di punta di riflusso:°C 260

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  Chip MT29F2G08ABAEAWP-AATX del circuito integrato: E NAND Flash Memory automobilistico IC

  Numero del pezzo:MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E

  Gamma di tensione di funzionamento – VCC:2.7V-3.6V

  Capacità di memoria:2Gbit

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  Chip del chip di memoria 8-WDFN IC del chip CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAM del circuito integrato

  Numero della parte:CY15B102QN-50LHXI

  Organizzazione:256 K x 8

  Stile di montaggio:SMD/SMT

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  Chip 250MHz del circuito integrato del chip di memoria CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA di QDR II

  Numero della parte:CY7C1514KV18-250BZXI

  Dimensione della memoria:72 Mbit

  Organizzazione:2 M x 36

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