La Cina Chip IC di memoria

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  AT25SF2561C-SXUB Memoria IC Chip NOR Memoria flash 256Mbit SPI Memoria flash seriale SOIC16

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  AT25SF2561C-MWUB Chip IC di memoria 256Mbit SPI Serial Flash Memory DFN8 NOR Flash Memory

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  Chip IC di memoria AT25QF2561C-SXUB 256Mbit NOR Flash Memory SOIC16 SPI Serial Flash Memory

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  AT25QF2561C-MWUB Memoria IC Chip SPI NOR Memoria flash 256Mbit SPI Memoria flash seriale

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacchetto standard

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  S27KL0643GABHB023 Memoria IC Chip 64MBit 3V Memoria RAM pseudostatica automobilistica

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacco standard

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  S70KL1283GABHB020 Memory IC Chip 128MBit 3V Automotive Octal PSRAM Memory IC

  Quantità di ordine minimo:10

  Prezzo:Contact for Sample

  Imballaggi particolari:Pacco standard

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  del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020

  Numero della parte:S27KS0642GABHM020

  Tecnologia:38-nm DRAM

  Canale omnibus di dati:canale omnibus di dati di 8 bit

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  Chip di memoria del chip 64Mbit HyperBus del circuito integrato di IC S27KL0642GABHM023 di memoria

  Numero della parte:S27KL0642GABHM023

  Frequenza di clock massima:200 MHz

  Tempo di accesso massimo (tACC):35 ns

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  Memoria di superficie IC del pacchetto del supporto 24-VBGA del chip S26HS01GTGABHV020 del circuito integrato

  Numero della parte:S26HS01GTGABHV020

  Memoria:1Gbit

  Densità:MBit 1024

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  Memoria di superficie IC del pacchetto S26HS512TGABHV003 512Mbit HyperBus del supporto 24-VBGA

  Numero della parte:S26HS512TGABHV003

  Umidità sensibile:- Sì, sì.

  Scriva il tempo di ciclo:1.7ms

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  pseudo SRAM chip del circuito integrato di IC S80KS5122GABHI020 FBGA24 di memoria di 200MHz

  Numero della parte:S80KS5122GABHI020

  Orologio asimmetrico (CK):11 segnale del bus

  Tecnologia:25nm DRAM

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  IC di memoria Chip MT40A1G16KD-062E IT:E 16Gbit Parallelo 1,6 GHz IC di memoria

  Numero della parte:MT40A1G16KD-062E L'IT: E

  Tipo di memoria:Volatile

  Formato di memoria:DRAM

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